絕緣子介電常數(shù)測試儀-介質損耗因數(shù)參數(shù)：

工作頻率范圍：50kHz～50MHz    四位數(shù)顯，壓控振蕩器

Q值測量范圍：1～1000三位數(shù)顯，±1Q分辨率

可調電容范圍：40～500 pF  ΔC±3pF

電容測量誤差：±1%±1pF

Q表殘余電感值：約20nH

tanδ和ε測量精度（1MHz）：tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

tanδ和ε測量范圍：tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

anδ和ε性能：固體絕緣材料測試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測試。

絕緣子介電常數(shù)測試儀-介質損耗因數(shù)特點： 

◎ 本公司創(chuàng)新的自動Q值保持技術，使測Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測試。

◎ 調諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測試頻率，調諧狀態(tài)等。

◎ Q值量程自動/手動量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz測試信號。獨立信號   源輸出口，所以本機又是一臺合成信號源。

◎ 測試裝置符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

裝置：

2.3.1 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 
2.3.4 圓筒電容器可調范圍：±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4

液體介電常數(shù)測定儀 低頻介電常數(shù)測試儀高頻介電常數(shù)測試儀 、塑料介電常數(shù)測試儀、聚乙烯介電常數(shù)測定儀、硅橡膠介電常數(shù)測定儀、橡膠介電常數(shù)測定儀、材料介電常數(shù)測定儀、薄膜介電常數(shù)測定儀、聚酯薄膜介電常數(shù)測試儀、聚合物介電常數(shù)測量儀、介電常數(shù)及介質損耗測試儀

介電常數(shù)的簡介：

介電常數(shù)測量技術在民用，工業(yè)以及軍事等各個領域應用廣泛。本文主要對介電常數(shù)測量的常用方法進行了綜合論述。首先對國家標準進行了對比總結；然后分別論述了幾種常用測量方法的基本原理、適用范圍、優(yōu)缺點及發(fā)展近況；后對幾種測量方法進行了對比總結，得出結論。介電常數(shù)是物體的重要物理性質，對介電常數(shù)的研究有重要的理論和應用意義。電氣工程中的電介質問題、電磁兼容問題、生物醫(yī)學、微波、電子技術食品加工和地質勘探中，無一不利用到物質的電磁特性，對介電常數(shù)的測量提出了要求。目前對介電常數(shù)測量方法的應用可以說是遍及民用、工業(yè)、國防的各個領域在食品加工行業(yè)當中，儲藏、加工、滅菌、分級及質檢等方面都廣泛采用了介電常數(shù)的測量技術。例如，通過測量介電常數(shù)的大小，新鮮果蔬品質、含水率、發(fā)酵和干燥過程中的一些指標都得到間接體現(xiàn)，此外，根據(jù)食品的介電常數(shù)、含水率確定殺菌時間和功率密度等工藝參數(shù)也是重要的應用之一[1]。在路基壓實質量檢測和評價中，如果利用常規(guī)的方法，盡管測量結果比較準確，但工作量大、周期長、速度慢且對路面造成破壞。由于土體的含水量、溫度及密度都會對其介電特性產(chǎn)生不同程度的影響，因此可以采用雷達對整個區(qū)域進行測試以反算出介電常數(shù)的數(shù)值，通過分析介電性得到路基的密度及壓實度等參數(shù)，達到快速測量路基的密度及壓實度的目的[2]。此外，復介電常數(shù)測量技術還在水土污染的監(jiān)測中得到了應用[3]。并且還可通過對巖石介電常數(shù)的測量對地震進行預報[4]。上面說的是介電常數(shù)測量在民用方面的部分應用，其在工業(yè)上也有重要的應用。典型的例子有低介電常數(shù)材料在超大規(guī)模集成電路工藝中的應用以及高介電常數(shù)材料在半導體儲存器件中的應用。在集成電路工藝中，隨著晶體管密度的不斷增加和線寬的不斷減小，互聯(lián)中電容和電阻的寄生效應不斷增大，傳統(tǒng)的絕緣材料二氧化硅被低介電常數(shù)材料所代替是必然的。目前Applied Materials 的BlackDiamond 作為低介電常數(shù)材料，已經(jīng)應用于集成電路的商業(yè)化生產(chǎn)[5]。在半導體儲存器件中，利用高介電常數(shù)材料能夠解決半導體器件尺寸縮小而導致的柵氧層厚度極限的問題，同時具備特殊的物理特性，可以實現(xiàn)具有特殊性能的新器件[6]。在軍事方面，介電常數(shù)測量技術也廣泛應用于雷達和各種特殊材料的制造與檢測當中。對介電常數(shù)測量技術的應用可以說是不勝枚舉。介電常數(shù)的測量技術已經(jīng)廣泛應用于民用、工業(yè)和國防各個領域，并且有發(fā)展的空間和必要性。我們對測量介電常數(shù)的方法進行總結，能更清晰的認識測量方法的現(xiàn)狀，為某些應用提供一種可能適合的方法，是有一定理論和工程應用意義的。.介電常數(shù)測量方法綜述介電常數(shù)的測量按材質分類可以分為對固體、液體、氣體以及粉末(顆粒)的測量[7]。固體電介質在測量時應用為廣泛，通常可以分為對固定形狀大小的固體和對形狀不確定的固體的測量。相對于固體，液體和氣體的測試方法較少。對于液體，可以采用波導反射法測量其介電常數(shù)，誤差在5%左右[8]。此外國家標準中給出了在90℃、工頻條件下測量液體損耗角正切及介電常數(shù)的方法[9]。對于氣體，具體測試方法少且精度都不十分高。文獻[10]中給出一種測量方法，以測量共振頻率為基礎，在LC 串聯(lián)諧振電路中產(chǎn)生震蕩，利用數(shù)字頻率計測量諧振頻率，不斷改變壓強和記錄當前壓強下諧振頻率，后用作圖或者一元線性回歸法處理數(shù)據(jù)，得到電容變化率進而計算出相對介電常數(shù)。表1 是測量固體介電常數(shù)的國家標準方法(不包括廢止的方法)及其對頻率、介電常數(shù)范圍、材料等情況的要求。如表1 所示，國家標準中已經(jīng)對微擾法和開式腔法的過程做了詳細介紹，然而對適用頻率和介電常數(shù)的范圍都有所限制。所以在不同材料，不同頻率的情況下，國家標準也給出了相應的具體測量方法。可見，上面所分析的方法并不是可以隨便套用的。在不同的系統(tǒng)、測量不同的材料、所要求的頻率不同的情況下，需要對其具體問題具體分析，這樣才能得出準確的方法。國家標準測量方法覆蓋的頻率為50 MHz 以下和100 MHz 到30 GHz，可以說是一個較廣的頻率覆蓋范圍，但是不同范圍適用的材料和環(huán)境等都有所不同。介電常數(shù)的覆蓋范圍是2 到100，接近1 的介電常數(shù)和較高介電常數(shù)的測量方法比較稀缺，損耗普遍在10−3 到10−4 的數(shù)量級上。3. 測量介電常數(shù)的幾種主要方法從總體來說，目前測量介電常數(shù)的方法主要有集中電路法、傳輸線法、諧振法、自由空間波法等等。其中，傳輸線法、集中電路法、諧振法等屬于實驗室測量方法，測量通常是在實驗室中進行，要求具有相應的樣品采集技術。另外對于已知介電常數(shù)材料發(fā)泡后的介電常數(shù)通常用經(jīng)驗公式得到[26]。下面，分別對這幾種方法的原理、特點和發(fā)展現(xiàn)狀等做分別闡述。3.1. 集中電路法集中電路法是一種在低頻段將有耗材料填充電容，利用電容各參數(shù)以及測量得到的導納推出介電常數(shù)的一種方法。其原理公式為：

其中， Y 為導納， A 為電容面積， d 為極板間距離，e0 為空氣介電常數(shù)，ω 為角頻率。為了測量導納，通常用并聯(lián)諧振回路測出Q 值(品質因數(shù))和頻率，進而推出介電常數(shù)。由于其頻率會受到小電感的限制，這種方法的高頻率一般是100 MHz。小電感一般為10 nHz 左右。如果電感過，高頻段雜散電容影響太大。如果頻率過高，則會形成駐波，改變諧振頻率同時輻射損耗驟然增加。但這種方法并不適用于低損材料。因為這種方法能測得的Q 值只有200 左右，使用網(wǎng)絡分析儀測得tand 也只在10−4 左右。這種方法不但準確度不高，而且只能測量較低頻率，在現(xiàn)有通信應用要求下已不應用。

自由空間法
自由空間法其實也可算是傳輸線法。它的原理可參考線路傳輸法，通過測得傳輸和反射系數(shù)，改變樣
品數(shù)據(jù)和頻率來得到介電常數(shù)的數(shù)值。圖2 為其示意圖。

自由空間法與傳輸線法有所不同。傳輸線法要求波導壁和被測材料*接觸，而自由空間法克服了這
個缺點[38]。自由空間法保存了線路傳輸法可以測量寬頻帶范圍的優(yōu)點。自由空間法要求材料要有足夠的損耗，否則會在材料中形成駐波并且引起誤差。因此，這種方法只適用于高于3 GHz 的高頻情況。其頻率可以達到100 GHz。

六端口測量技術
另外，還有一種方法為六端口測量技術。其測量系統(tǒng)如圖3。在未填充介質樣品時，忽略波導損耗，短路段反